Разделение пластин (wafer dicing)

1. Принцип действия: При разделывании пластины с помощью ультразвуковой технологии, вибрации от ультразвукового волнового генератора, который установлен в задней части шпинделя, превращаются в движение, которые перемещаются через основание вала шпинделя и лопатки, и расширяется в лезвии в радиальном направлении.

1.1. Define actions as necessary

2. скрайбирование (scribing)

2.1. Скрайбирование механическим способом

2.2. Скрайбирование/резка лазером

3. Ультразвуковая «резка»

4. Разламывание на отдельные чипы

4.1. Механический – прикладывают изгибающий момент

4.2. С помощью ультразвука

4.3. пластину помещают рабочей поверхностью (скрайберными рисками) вниз на гибкую (например, из резины) опору и с небольшим усилием покатывают последовательно в двух перпендикулярных направлениях, параллельно направлениям скрайбирования, стальным, резиновым валиком диаметром 10 – 30 мм

4.4. скрайбированные пластины помещают в конверт из пластичного материала, затем вакуумно-плотно закрывают и откачивают из него воздух – в результате чего возникает механическое воздействие и пластина разламывается.

4.5. термоударом

5. - большие (30—50 мкм) сколы по краям риски и форма поперечного сечения кристаллов в виде параллелограмма или трапеции с острыми углами от 55 до 70° - неудобная для работы захватных устройств при автоматизированной сборке - небольшая глубина риски, не обеспечивающая качественное разламывание толстых пластин В настоящее время алмазное скрайбирование осталось только в виде лабораторного метода разделения пластин.

6. Скрайбирование заключается в нанесении рисок на рабочую поверхность пластины. Риски располагают по межчипным дорожкам в двух взаимно перпендикулярных направлениях.

7. метод лазерной резки

8. метод по технологии по технологии Laser MicroJet

9. Метод незаметная «хитрая» разделки (Stealth dicing)

10. Это инновационный метод, высококачественной технологии разделки, который использует лазер для резки полупроводниковой пластины на мелкие кусочки с помощью внутренней обработки.

11. Методы механического и лазерного скрайбирования широко используются, но они влекут за собой три проблемы: -Физическое или термическое повреждение устройства; - Потеря полезной площади пластины из-за ширины резки на чипы; - Зависимость направления скрайбирования от ориентации кристалла GaAs скрайбируется плазменным методом

12. Механическая резка

12.1. На никелевой связке (nickel-bond)

12.2. На полимерной связке (resin-bond)

12.3. На металлической связке (metalbond)

12.4. На никелевой связке со стальным сердечником

13. Закрепление пластин

13.1. Ленточный/пленочный способ (Tape mounting)

13.2. С использованием воска или клея (Wax and adhesive mounting)

13.3. Механическое закрепление (Mechanical fixturing)

14. Метод заключается в том, что абразивный диск насквозь прорезает пластину с кристаллами.

15. Закрепление с использованием воска или клея. Используется для очень тонких и хрупких пластин с низкой температурой плавления. Большинство видов воска получают из природных источников , так же существуют синтетические виды воска.

16. Главным преимуществом является возможность аккуратно прикрепить подложку к ровной поверхности держателя. Держатель играет роль хорошего основания и позволяет глубоко резать в себя, что устраняет бортики у основания кристалла, который трескается. Так же позволяет закреплять кривые подложки за счет того что воск затекает в неровности и препятствует созданию воздушных пузырьков.

17. Проведение процесса, очистка от воска. Очистка не может быть автоматизирована, и процесс установки происходит медленно. Этот процесс требует нагревания подложки, что может привести к дефектам, как и смывания воска растворителями после резки.