diferencias entre transistores bipolares y transistores de efecto de campo

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diferencias entre transistores bipolares y transistores de efecto de campo por Mind Map: diferencias entre transistores bipolares y transistores de efecto de campo

1. Un JFET está constituido por una pieza de material semiconductor denominada “canal” en cuyos extremos se ubican dos de los terminales del transistor llamados DRENADOR (D o DRAIN) y SURTIDOR (S o SOURCE). El canal puede estar hecho de material P o N, lo que da lugar a dos variedades de JFET, el de canal N y el de canal P. A cada lado del canal se forma otra zona de material semiconductor opuesto al del canal donde se ubica en tercer terminal denominado GATE (G).

2. El transistor de unión bipolar (BJT) es un dispositivo electrónico de estado sólido consistente en dos uniones PN muy cercanas entre sí, que permite aumentar la corriente y disminuir el voltaje, además de controlar el paso de la corriente a través de sus terminales. La denominación de bipolar se debe a que la conducción tiene lugar gracias al desplazamiento de portadores de dos polaridades (huecos positivos y electrones negativos), y son de gran utilidad en gran número de aplicaciones; pero tienen ciertos inconvenientes, entre ellos su impedancia de entrada bastante baja.

2.1. Los transistores bipolares son los transistores más conocidos y se usan generalmente en electrónica analógica aunque también en algunas aplicaciones de electrónica digital, como la tecnología TTL o BiCMOS.

2.2. Un transistor de unión bipolar está formado por dos Uniones PN en un solo cristal semiconductor, separados por una región muy estrecha. De esta manera quedan formadas tres regiones: • Emisor, que se diferencia de las otras dos por estar fuertemente dopada, comportándose como un metal. Su nombre se debe a que esta terminal funciona como emisor de portadores de carga. • Base, la intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del colector. • Colector, de extensión mucho mayor.

3. Los transistores IGFET (Insolated Gate FET o FET de puerta aislada) también conocidos como MOSFET (Metal Oxide Semiconductor FET o FET de Metal Óxido Semiconductor) son una variedad de transistores de efecto de campo que tienen el terminal de puerta (Gate) aislado del canal por una fina capa de óxido de siicio. Eso le otorga una resistencia de entrada del orden de los Mega ohm, mas alta aún que en el caso de los JFET. Esta resistencia tan elevada implica que prácticamente no circula corriente por la puerta, haciendo que el MOSFET se comporte como una resistencia variable donde la corriente entre Drenador y Surtidor es controlada por la tensión de puerta. Sin embargo, esta resistencia tan elevada tiene el inconveniente de permitir la acumulación de mucha carga electroestática que puede dañar al MOSFET si no es manipulado con cuidado.

4. BJT (transistores de unión bipolar) yFET (transistores de efecto de campo) son dos tipos diferentes detransistores. Los transistores son dispositivos semiconductores que se pueden usar como amplificadores o interruptores en circuitos electrónicos. los diferencia principal entre BJT y FET es que BJT es un tipo de transistor bipolar Donde la corriente involucra un flujo de portadores tanto mayoritarios como minoritarios. A diferencia de, FET es un tipo de transistor unipolar donde solo fluyen los portadores mayoritarios.

5. FET

5.1. *Controlado por tensión entre puerta y fuente. *Dispositivo unipolar que trabaja con las cargas libres de los huecos (canal p) ó electrones (canal n). *ID es una función de Vgs. *gm (factor de transconductancia). *Ganancias de corriente indefinidas y ganancias de voltaje menores a las de los BJT. *Relación cuadrática entre Vgs e Id.

5.1.1. FETs sondispositivos unipolares, donde solo fluyen los portadores mayoritarios.

5.1.2. FET Son dispositivos controlados por voltaje.

5.1.3. FETs se utilizan más a menudo queBJTs En electrónica moderna.

5.1.4. Los terminales de unFET son llamadosfuente, grano y puerta.

6. Características distintivas

6.1. BJT

6.1.1. * Controlado por corriente de base. *Dispositivo bipolar que trabaja con las cargas libres de los huecos y electrones. *IC es una función de IB. *ß (beta factor de amplificación) *Altas ganancias de corriente y voltaje. *Relación lineal entre Ib e Ic.

6.1.1.1. BJTs sondispositivos bipolares, en el que hay un flujo tanto de portadores mayoritarios como minoritarios.

6.1.1.2. BJTs son Dispositivos controlados por corriente.

6.1.1.3. Terminales de unBJT son llamadas losemisor, base y colector

7. Diferencias principales

8. VENTAJAS Y DESVENTAJAS

8.1. Ventajas del FET

8.1.1. • Impedancia de entrada muy elevada (107 a 1012)MΩ. • Generan un nivel de ruido menor que los BJT. • Son más estables con la temperatura que los BJT. • Son más fáciles de fabricar que los BJT pues precisan menos pasos y permiten integrar más dispositivos en un CI. • Se comportan como resistencias controladas por tensión para valores pequeños de tensión drenaje-fuente. • La alta impedancia de entrada de los FET les permite retener carga el tiempo suficiente para permitir su utilización como elementos de almacenamiento. • Los FET de potencia pueden disipar una potencia mayor y conmutar corrientes grandes.

8.1.1.1. Desventajas de los FET

8.1.1.1.1. • Los FET’s presenta una respuesta en frecuencia pobre debido a la alta capacidad de entrada. • Los FET’s presentan una linealidad muy pobre, y en general son menos lineales que los BJT. • Los FET’s se pueden dañar debido a la electricidad estatica.

8.2. Desventajas de los BJT

8.2.1. •Ofrecen una buena ganancia de amplificación •Los FET presentan una linealidad muy pobre, y en general son menos lineales que los BJT •Los BJT son resistentitas a la energía estática Los FET se pueden dañar debido a esto. •Los BJT presentan una respuesta en frecuencia alta debido a la baja capacidad de entrada. Respecto a los FET.

8.2.1.1. Desventajas de los BJT

8.2.1.1.1. •Generan un nivel de ruido muy alto con respecto a los FET •Generan gran temperatura a comparación de los FET •Son más fáciles de fabricar que los BJT pues precisan menos pasos y permiten integrar más dispositivos en un CI. •Los BJT tiene una baja impedancia de entrada a comparación con los FET que tienen una Impedancia de entrada muy elevada (107 a 1012) MΩ. •El BJT no soporta tensiones en el sentido opuesto por que la elevada concentración de impurezas del emisor provoca la ruptura de J1 en bajas tenciones (5 a 10) V

9. ¿que es un BJT?

10. ¿que es un FET?

10.1. Hay dos tipos principales de FET: Transistor de efecto de campo de unión (JFET) y Transistor de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET). Tienen principios de trabajo similares, aunque también hay algunas diferencias.

10.1.1. JFET

10.1.2. MOSFET