1. ESTRUCTURA
1.1. MOSFET CANAL N
1.1.1. Las regiones de dopado para el surtidor y el drenador son regiones 'n+' y el sustrato es una región de tipo 'p'.
1.2. MOSFET CANAL P
1.2.1. Las regiones de dopado para el surtidor y el drenador son regiones 'p+' y el sustrato es una región de tipo 'n'.
2. CARACTERISTICAS
2.1. MAXIMA TENSION DRENADO - FUENTE
2.1.1. Baja tensión: 15 V, 30 V, 45 V, 55 V, 60 V, 80 V
2.1.2. Media tensión: 100 V, 150 V, 200 V, 400 V
2.1.3. Alta tensión: 500 V, 600 V, 800 V, 1000 V
2.2. MAXIMA CORRIENTE DE DRENADOR
2.2.1. Corriente continua máxima ID
2.2.2. Corriente máxima pulsada IDM
2.3. RESISTENCIA DE CONDUCCION
2.3.1. Es uno de los parámetro más importante en un MOSFET. Cuanto menor sea, mejor es el dispositivo.
2.3.2. Se representa por las letras RDS(on).
2.3.3. En los últimos tiempos se han mejorado sustancialmente los valores de RDS(on) en dispositivos de VDSS relativamente alta (600-1000 V).
2.4. TENSION UMBRAL Y MAXIMAS PUERTAS
2.4.1. La tensión puerta fuente debe alcanzar un valor umbral para que comience a haber conducción entre drenador y fuente.
2.4.2. La tensión umbral cambia con la temperatura.
2.4.3. La máxima tensión soportable entre puerta y fuente es típicamente de ± 20V.
2.5. VELOCIDAD DE CONMUTACION
2.5.1. Los MOSFET de potencia son más rápidos que otros dispositivos usados en electrónica de potencia (tiristores, transistores bipolares, IGBT, etc.).
2.5.2. Capacidad de lineal, CGS
2.5.3. Capacidad de transición, CDS
2.5.4. Capacidad Miller, no lineal, CDG (muy importante)
3. Posee cuatro terminales, tambien existen MOSFET de tres terminales.
3.1. SURTIDOR (S)
3.2. DRENADOR (D)
3.3. COMPUERTA (G)
3.3.1. Se fabricaba en aluminio hasta mediados de los 70, cuando empezó a ser sustituido por el silicio policristalino en favor de su capacidad de formar compuertas auto-alineadas.
3.4. SUSTRATO (B)
3.4.1. Está conectado internamente al terminal del surtidor
4. Un MOSFET de potencia es un dispositivo controlado por voltaje, y sólo requiere una pequeña corriente de entrada.
4.1. Los MOSFET no tienen problemas de fenómenos de segunda avalancha como los BJT pero sí los de descarga electrostática además de que son difícil de proteger en condiciones de falla por cortocircuito.
5. DOS TIPOS DE MOSFET
5.1. DECREMENTALES
5.1.1. Se forman sobre un substrato de silicio tipo p, con dos regiones de silicio n- muy dopado para formar conexiones de baja resistencia.
5.2. INCREMENTALES
5.2.1. No tienen canal físico. SI VGS es positiva, un voltaje inducido atrae a los electrones del substrato p y los acumula en la superficie. Si VGS es mayor o igual a un valor llamado voltaje umbral, se acumula una cantidad suficiente de electrones para formar un canal N virtual, y la corriente circula del drenaje a la fuente.