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UNIÓN PN por Mind Map: UNIÓN PN

1. ¿Qué es?

1.1. Zona de transición relativamente angosta que separa las regiones tipo-n y tipo-p

2. Campo Eléctrico

2.1. En presencia de un campo eléctrico externo se produce una distribución en su carga.

3. Extrínsecos

3.1. Tipo – p

3.1.1. *IMAGEN DE LA FORMULA*

3.2. Tipo – n

3.2.1. *IMAGEN DE LA FORMULA*

4. Diodo

4.1. Polarización

4.1.1. Inversa

4.1.1.1. La corriente es independiente del voltaje

4.1.2. Directa

4.1.2.1. La corriente depende del voltaje

4.2. Corriente total en un diodo p–n

4.2.1. *IMAGEN DE LA FORMULA*

4.3. Capacitancia

4.3.1. *IMAGEN DE LA FORMULA*

4.4. Continuidad

4.4.1. Huecos en la región–n

4.4.1.1. *IMAGEN DE LA FORMULA*

4.4.2. Electrones en la región–p

4.4.2.1. *IMAGEN DE LA FORMULA*

5. ¿Qué ocurre cuando se forma?

5.1. Tipo – p

5.1.1. Crea una concentración uniforme de huecos móviles

5.1.2. Los electrones se extienden hasta la unión

5.2. Tipo – n

5.2.1. Crea una concentración uniforme de electrones libres móviles

5.2.2. Los huecos se extienden hasta la unión

6. Creación

6.1. Estan formados por la unión de dos cristales

6.1.1. Con regularidad

6.1.1.1. Germanio

6.1.1.2. Silicio

6.1.2. Obtención

6.1.2.1. Se obtienen al dopar cristales de metal puro intencionadamente con impurezas

7. Estructura

7.1. Debe ser un mono-cristal casi perfecto

8. Tensión- Corriente

8.1. Diodo

8.1.1. Hay que aplicarla a los semiconductores con una gran concentración de portadores de carga, que poseen alta movilidad.

8.2. Difusión

8.2.1. Componente de deriva y difusión de la corriente

9. Potencial

9.1. Región neutra tipo – n

9.1.1. *IMAGEN DE LA FORMULA*

9.2. De contacto

9.2.1. *IMAGEN DE LA FORMULA*

10. Capacitancia - Voltaje

10.1. Para la corrección de mediciones

10.1.1. *IMAGEN DE LA FORMULA*

11. Rectificación

11.1. Tipo P

11.1.1. Se inyectan electrones en desequilibrio.

11.1.1.1. la concentración de electrones aumenta en comparación con en valor de equilibrio n

11.1.1.1.1. Cuando la batería se conecta en la unión p-n de manera inversa se produce la extracción de portadores de carga.

11.2. Tipo N

11.2.1. Los huecos cerca del contacto originan una carga volumetrica positiva.

11.2.1.1. En todos los sectores del semiconductor se observara una neutralidad eléctrica.