1. Граница между двумя полупроводниками с различными типами электропроводности называется электронно-дырочным переходом или p-n - переходом
2. В результате теплового хаотического движения одна из дырок из левой области -типа может попасть в правую область -типа, где быстро рекомбинирует с одним из электронов.
3. Двойной электрический слой в области p-n - перехода обуславливает контактную разность потенциалов, называемую потенциальным барьером.
4. Распределение зарядов в области p-n- перехода
5. – p-n - переход
6. Ток неосновных носителей при этом практически не изменится, так как он лимитируется малым числом неосновных носителей. На рисунке изображены зависимости тока основных и неосновных носителей при увеличении внешнего напряжения , а также построен участок вольтамперной характеристики (ВАХ) при .
