«Полупроводниковый p-n - переход»

Начать. Это бесплатно
или регистрация c помощью Вашего email-адреса
«Полупроводниковый p-n - переход» создатель Mind Map: «Полупроводниковый p-n  - переход»

1. Граница между двумя полупроводниками с различными типами электропроводности называется электронно-дырочным переходом или p-n - переходом

2. В результате теплового хаотического движения одна из дырок из левой области -типа может попасть в правую область -типа, где быстро рекомбинирует с одним из электронов.

3. Двойной электрический слой в области p-n - перехода обуславливает контактную разность потенциалов, называемую потенциальным барьером.

4. Распределение зарядов в области p-n- перехода

5. – p-n - переход

6. Ток неосновных носителей при этом практически не изменится, так как он лимитируется малым числом неосновных носителей. На рисунке изображены зависимости тока основных и неосновных носителей при увеличении внешнего напряжения , а также построен участок вольтамперной характеристики (ВАХ) при .