1.1. Источник изучения - для осуществления энергетического воздействия на резист: Ртутная лампа, электронная пушка Маска - для засвета резиста Система охлаждения - поддержания микроклимата и обеспечение безопасности работы с источником излучения Система равномерного распределения резиста на подложке (зависит от способа нанесения) Оптическая система - контроль расположения маски и подложки
2. Преимущества и недостатки
2.1. Преимущества: + Универсальность формы + Высокая точность и малый размер деталей (НИЛ) + Большое число разновидностей литографии, что позволяет выбрать наиболее пригодный метод для получения деталей с заданной точностью и определенным бюджетом + Технологическая простота
2.2. Недостатки: - Зачастую высокая стоимость деталей или установок, низкая энергоэффективность - Искажения при экспанировании - Малая производительность (электронная литография) - Не экологичен
3. Физические основы: Изменение свойств материала при его взаимодействии с энергетическим воздействием (излучением). В зависимости от вида излучения выделяют оптическую, рентгеновскую, электронную и ионную литографии.
4. Принцип работы: Нанесение светочувствительного материала (резиста) на поверхность подложки и последующее экспонирование (облучение) этого слоя с получением определенного рельефа. Дальнейшее травление и удаление резиста позволяет перенести рельеф на подложку.
5. Использование метода: Получение пленочных и полупроводниковых интегральных микросхем, печатных плат.
