二氧化硅

1. 工艺

1.1. 干氧氧化

1.1.1. 原理

1.1.1.1. 高温下，氧气直接通向 高温氧化炉与硅反应

1.1.2. 特点

1.1.2.1. 质量最佳，结构致密， 均匀性和重复性好，掩蔽能力强； 但生长速度慢

1.2. 水汽氧化

1.3. 湿氧氧化

2. 形式

2.1. 结晶型

2.2. 无定形

3. 杂质

3.1. 存在形式

3.1.1. 网络形成者

3.1.2. 网络改变者

4. 网络结构

4.1. 非桥键氧

4.1.1. 氧原子与两个硅原子键合

4.2. 桥键氧

4.2.1. 只与一个硅原子键合的氧原子

5. 掩蔽

5.1. 条件

5.2. 杂质在SiO2中的扩散系数必须远小于 Si中的扩散系数，DSiO2＜DSi

5.3. SiO2具有足够厚度，当杂质在Si中 扩散达到所需深度时，还没有扩穿SiO2膜

5.4. 厚度

6. 热氧化

6.1. 原理

6.1.1. 让硅片（晶元）在高温下，与氧化剂 发生反应而生长一层SiO2膜的方法

6.2. 硅消耗问题

6.2.1. dSi=0.44dSiO2

6.3. D-G模型结论

6.3.1. 热氧化的一般方程

6.3.2. Tox与t的关系