1. ROM
1.1. Partes básicas de una ROM de 16x8:
1.1.1. 1. Arreglo de registros.
1.1.2. 2. Decodificador de fila. 3.Decodificadores de columna.
1.1.3. 4. Búferes de salida.
1.2. Tipos de ROMS
1.2.1. ROM Programada por máscara (ROMs)
1.2.1.1. Almacena información al momento en que se fabrica el circuito integrado y es costosa.
1.2.2. ROMs Programables (PROMs)
1.2.2.1. No se programan durante el proceso de fabricación, sino que el usuario las programa según sus necesidades. Además, una vez programada, ya no puede borrarse ni reprogramarse.
1.2.3. ROM Programable y borrable (EPROM)
1.2.3.1. Pueden programarse por el usuario así como borrarse y reprogramarse.
1.2.3.1.1. El proceso de programación es similar a una PROM.
1.2.3.2. Memoria NO volátil.
1.2.4. PROM Programable y borrable eléctricamente (EEPROM)
1.2.4.1. Retiene la misma estructura de una compuerta flotante que la EPROM
1.2.4.1.1. Capacidad de borrarse mediante electricidad.
1.2.4.2. Borra y reescribe bytes individuales en el arreglo de memoria mediante electricidad.
1.2.4.3. La capacidad de borrar bytes y su alto nivel de integración incurren en dos faltas:
1.2.4.3.1. Densidad y costo.
1.2.5. CD-ROM
1.2.5.1. El disco compacto es muy prominente en almacenamiento de solo lectura que se utiliza actualmente. Además, es sofisticado, de bajo costo y estándar para cargar grandes cantidades de datos en una computadora personal, y al recuperar datos, su tiempo de acceso es rápido.
1.3. Aplicaciones de la ROM
1.3.1. Memoria de programa de microcontrolador embebido
1.3.1.1. Actualmente contienen una ROM FLASH integrada en el mismo CI que la CPU.
1.3.2. Transferencia de datos y portabilidad
1.3.2.1. Es requerido en sistemas de bajo consumo de energía, costo y alta densidad. Las unidades FLASH se conectan en el puerto USB de una computadora y almacenan gigabytes de información.
1.3.3. Memoria de arranque
1.3.3.1. Se almacena en ROM y provoca que la CPU inicialice el hardware del sistema.
1.3.4. Tablas de datos
1.3.4.1. Tablas trigonométricas
1.3.4.2. Tablas de conversión de código
1.3.5. Convertidor de datos
1.3.5.1. Método sencillo de conversión de código que utiliza una ROM programada de tal forma que la aplicación de una dirección sea específica.
1.3.6. Generador de funciones
1.3.6.1. Es un circuito que produce formas de onda tales como senoidales, dientes de sierra, triangulares y cuadradas
1.3.7. Almacenamiento auxiliar
1.3.7.1. Memoria FLASH
1.3.7.1.1. Ocupan un tiempo rápido de borrado y escritura.
1.3.7.1.2. El CI de memoria FLASH CMOS 28F256A
1.3.7.1.3. Memoria FLASH mejorada
2. RAM
2.1. Tiene capacidades de palabras de 1K, 4K, 8K, 16K, 64K, 128K y 1024K con tamaños de palabra de uno, cuatro u ocho bits
2.2. Es volátil, por lo que perderá toda información almacenada si se interrumpe o se desconecta la energía.
2.3. Esta se utiliza para el almacenamiento temporal de programas y datos.
2.4. Se divide en:
2.4.1. DRAM (RAM dinámica)
2.4.1.1. Almacena datos en forma de cargas en capacitores
2.4.1.2. Se fabrican mediante tecnologia MOS
2.4.1.2.1. Se distinguen por su alta capacidad, bajo requerimiento de energía y velocidad moderada de operación.
2.4.1.3. Se debe regenerar la carga de los capacitores cada 2, 4 u 8 ms
2.4.2. SRAM (RAM estática)
2.4.2.1. Permanecen en un estado dado (almacenan un bit) de manera indefinida, siempre y cuando no se interrumpa la energía del circuito.
2.4.2.2. Sus celdas de memoria son flip-flops
2.4.2.3. Estan disponibles en las tecnologías bipolar, MOS y BiCMOS
2.4.2.3.1. Los dispositivos bipolares tienen mayor velocidad, mientras que los MOS tienen mucho mayor capacidad y bajo consumo de energía.
2.5. Operación de lectura
2.5.1. La entrada Leer/Escribir (R/W) debe estar en alto, además la selección de chip (CS) debe estar en bajo. Esta combinación habilita los búferes de salida y deshabilita los de entrada.
2.6. Operación de escritura
2.6.1. Para escribir una palabra de 4 bits, se requiere que R/W = 0 y CS = 0. Esta combinación habilita los búferes de entrada y deshabilita el de salida.
3. Memoria
3.1. Terminología
3.1.1. Celda de memoria
3.1.1.1. Dispositivo/Circuito eléctrico que almacena un bit (0 o 1).
3.1.1.1.1. Flip-flop
3.1.1.1.2. Capacitor cargado
3.1.1.1.3. Punto individual
3.1.1.1.4. Disco magnético
3.1.2. Palabra de memoria
3.1.2.1. Un conjunto de celdas en una memoria que representan instrucciones o datos de cierto tipo.
3.1.2.1.1. Un registro de 8 FFs.
3.1.3. Byte
3.1.3.1. Un conjunto de 8 bits.
3.1.3.1.1. Una palabra de 8 bits también se expresa como una palabra de un byte.
3.1.4. Capacidad
3.1.4.1. Cantidad de bits que puede almacenar la memoria de un sistema.
3.1.4.1.1. Una memoria que puede almacenar 4069 palabras de 20 bits tiene una capacidad de 81,920 bits.
3.1.4.2. Densidad
3.1.4.2.1. Otro término de capacidad de memoria.
3.1.5. Dirección
3.1.5.1. Un numero que identifica la ubicación de memoria. Además cada palabra almacenada tiene dirección unica.
3.1.6. Operación de lectura
3.1.6.1. Operación fetch
3.1.6.1.1. Otro término de Op. de lectura.
3.1.6.2. Un método donde busca una palabra en memoria, se detecta y después se transfiere hacia otro dispositivo.
3.1.7. Operación de escritura
3.1.7.1. Un método que sustituye a una palabra almacenada cada vez que se escribe una nueva.
3.1.7.2. Operación buscar
3.1.7.2.1. Otro término de Op. de lectura.
3.1.8. Tiempo de acceso
3.1.8.1. Tiempo desde que la memoria recibe una nueva dirección de entrada y hasta que los datos están disponibles en la salida de la memoria.
3.1.8.1.1. Símbolo: tacc
3.1.9. Memoria volátil
3.1.9.1. Operación almacenar
3.1.9.2. Cualquier tipo de memoria que requiera energía eléctrica para poner almacenar información.
3.1.9.2.1. Memorias semiconductoras.
3.1.10. Memoria de acceso aleatorio (RAM)
3.1.10.1. Memoria en la cual la ubicación física de una palabra no tiene efecto sobre el tiempo que tardan las operaciones de lectura o escritura, en una ubicación determinada.
3.1.10.1.1. Mayormente, las memorias semiconductoras son de tipo RAM.
3.1.11. Memoria de acceso secuencial (SAM)
3.1.11.1. Memoria en la cual el tiempo de acceso no es una constante, sino que varía dependiendo de la ubicación de la dirección.
3.1.11.1.1. El respaldo en cinta magnética
3.1.12. Memoria de lectura/escritura (RWM)
3.1.12.1. Cualquier memoria que se puede leer, o en la que se puede escribir.
3.1.13. Memoria de solo lectura (ROM)
3.1.13.1. Memoria de solo lectura que almacena instrucciones y datos de forma permanente.
3.1.13.1.1. Cajas registradoras, electrodomésticos y sistemas de seguridad.
3.1.13.2. No volátiles
3.1.14. Dispositivos de memoria estática
3.1.14.1. Dispositivo donde los datos se almacenan permanentemente, siempre y cuando se aplique energía, sin necesidad de reescribirlos en la memoria de forma periódica.
3.1.15. Dispositivos de memoria dinámica
3.1.15.1. Dispositivo donde los datos NO se alamacenan de forma permanente, aun y cuando se le aplique energía, a menos que se reescriban en forma periodica en la memoria.
3.1.16. Memoria principal
3.1.16.1. Memoria de trabajo de la computadora
3.1.16.2. Almacena instrucciones y datos con los que la CPU está trabajando en un momento dado.
3.1.16.2.1. Rápida y semiconductora.
3.1.17. Memoria auxiliar
3.1.17.1. Almacenamiento masivo
3.1.17.2. Guarda cantidades masivas de información externa a la memoria principal.
3.1.17.2.1. Lenta y no volátil.
3.2. Operación general
3.2.1. Principios de operación básicos
3.2.1.1. 1. Seleccionar la dirección de memeoria.
3.2.1.2. 2. Seleccionar una op. de lectura/escritura.
3.2.1.3. 3. Suministrar los datos de entrada que se van a almacenar.
3.2.1.4. 4. Retener los datos de entrada que provienen de la memoria.
3.2.1.5. 5. Habilitar o deshabilitar la memoria, de manera que responda o no a las entradas de dirección y a la línea de lectura/escritura.
3.2.2. Entradas de dirección
3.2.2.1. Se requieren N entradas de dirección para una memoria con una capacidad de 2 a la N palabras.
3.2.3. Entrada R/W
3.2.3.1. Controla qué operación de memoria se va a realizar
3.2.3.1.1. Lectura (R)
3.2.3.1.2. Escritura (W)
3.2.4. Habilitación de memoria
3.2.4.1. Memory Enable, Chip Enable o Chip Select.
3.2.4.2. ALTO
3.2.4.2.1. Habilita la memoria para que opere de forma óptima.
3.2.4.3. BAJO
3.2.4.3.1. Deshabilita la memoria, de manera que no puede responder a las entradas de dirección y R/W.