1. ESTRUCTURA MOS
1.1. DOS terminales y tres capas.
1.2. Un substrato de silicio, puro o poco dopado P o N.
1.3. Una capa de óxido de silicio (SiO2)
1.4. Una capa de metal (aluminio o polisilicio).
1.5. En la parte inferior, un contacto óhmico, en contacto con la capsula).
2. Es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas.
3. TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO METAL OXIDO SEMICONDUCTOR
4. ESTADOS DEL MOSFET
4.1. ESTADO DE CORTE
4.1.1. Estado de corte Cuando la tensión de la puerta es idéntica a la del sustrato.
4.2. ESTADO DE NO CONDUCCION
4.2.1. El MOSFET está en estado de no conducción: ninguna corriente fluye entre fuente y drenador aunque se aplique una diferencia de potencial entre ambos.
4.3. CONDUCCION LINEAL
4.3.1. Al polarizarse la puerta con una tensión negativa (pMOS) o positiva (nMOS), se crea una región de deplexión en la región que separa la fuente y el drenador. Si esta tensión crece lo suficiente, aparecerán portadores minoritarios (electrones en nMOS, huecos en pMOS) en la región de deplexión que darán lugar a un canal de conducción.
5. TIPOS
5.1. EMPOBRECIMIENTO
5.1.1. Existe un canal por el cual circula corriente, sin importar la alimentación de la puerta.
5.1.1.1. CANAL N
5.1.1.1.1. VGS: PUEDE SER POSITIVO O NEGATIVO
5.1.1.2. CANAL P
5.1.1.2.1. Se invierten las polaridades de Vgs, Ids y Vds
5.2. ENRIQUECIMIENTO
5.2.1. El canal por el cual circula corriente es activado por una compuerta. No poseen un canal físico.
5.2.1.1. TIPO N
5.2.1.1.1. Vgs>0
5.2.1.1.2. Vgs>=Vt
5.2.1.2. TPO P
5.2.1.2.1. Se invierten las polaridades de Vgs, Ids y Vgs