MOSFET

1. Estructura de un Mosfet

1.1. Los mosfet se construyen sobre un semiconductor (tipo N o P) que se llama sustrato.

1.2. Tenemos 4 partes pero solo 3 patillas, ya que el sustrato está unido siempre a la puerta (gate), formando una única patilla del transistor.

1.2.1. G = puerta o gate.

1.2.1.1. La parte de arriba es un metal conductor y la de abajo el óxido.

1.2.2. P = capa de semiconductor base o sustrato contrario al semiconductor de S y D.

1.2.2.1. En la imagen de la izquierda es de tipo N y entonces el sustrato debe ser P. Podría ser al revés, como puedes ver en la imagen de la derecha.

1.2.3. El canal que queda entre S y D es del material del sustrato y se llama canal.

1.2.3.1. Es la zona que hace de aislante impidiendo el paso de corriente cuando aplicamos tensión entre S y D.

2. Ventajas del Transistor Mosfet

2.1. La principal ventaja del transistor MOSFET es que utiliza baja potencia para llevar a cabo su propósito y la disipación de la energía en términos de pérdida es muy pequeña.

2.2. Lo que hace que sea un componente importante en los modernos ordenadores y dispositivos electrónicos como los teléfonos celulares, relojes digitales, pequeños juguetes de robot y calculadoras.

3. ¿Cómo funciona un Transistor Mosfet?

3.1. El Mosfet controla el paso de la corriente entre una entrada o terminal llamado fuente sumidero (source) y una salida o terminal llamado drenador (drain), mediante la aplicación de una tensión (con un valor mínimo llamada tensión umbral) en el terminal llamado puerta (gate).

3.2. El transistor de efecto de campo se comporta como un interruptor controlado por tensión, donde el voltaje aplicado a la puerta permite hacer que fluya o no corriente entre drenador y fuente.

3.3. El movimiento de carga se produce exclusivamente por la existencia de campos eléctricos en el interior del dispositivo.

4. PARTES

4.1. fuente (S, Source)

4.2. drenador (D, Drain)

4.3. puerta (G, Gate)

4.4. sustrato (B, Bulk)

5. ¿Qué hace un Mosfet?

5.1. Hay dos tipos principales de transistores. Los transistores de unión pn o bipolar y los Transistores Mosfet o Mos.

5.2. un transistor pnp o npn (basados en la unión pn) hace lo mismo, pero la diferencia es que en los npn o pnp la conducción se produce cuando le llega una pequeña corriente a la base, en el mosfet es por tensión, se activa cuando ponemos a una tensión mínima en la patilla del transistor llamada Gate.

5.3. la mayor parte de los circuitos integrados digitales se construyen con la tecnología MOS, debido a que se pueden construir de tamaños más pequeños que los bipolares y su velocidad de conmutación (apertura y cierra) es muy rápida, unos nanosegundos.