═══════════════════ AMPLIFICADOR CON TRANSISTOR FET ═══════════════════

1. OBJETIVOS

1.1. 1. Analizar cómo el transistor FET amplifica señales de baja amplitud y comprender su comportamiento en distintas configuraciones de polarización. 2. Medir la ganancia de voltaje y el ancho de banda del amplificador FET, observando cómo varían según los ajustes en el circuito. 3. Entender la relación entre la señal de salida y la señal de entrada observando las formas de onda en el osciloscopio.

2. MARCO TEORICO

2.1. 𝟏. 𝐂𝐨𝐧𝐜𝐞𝐩𝐭𝐨: Un amplificador con transistor de efecto de campo (FET) utiliza la alta impedancia de entrada, bajo ruido y estabilidad térmica de estos transistores para amplificar señales eléctricas. Son comunes en aplicaciones de audio, instrumentación y circuitos de alta frecuencia. ══════════════════════

2.1.1. 𝟐. 𝐅𝐮𝐧𝐜𝐢𝐨𝐧𝐚𝐦𝐢𝐞𝐧𝐭𝐨 𝐲 𝐓𝐢𝐩𝐨𝐬 𝐝𝐞 𝐅𝐄𝐓: Los FET operan mediante un campo eléctrico en la compuerta que controla la corriente entre el drenador y la fuente, lo que los convierte en dispositivos de control de voltaje. Los tipos principales son: * JFET: Controla la corriente mediante una unión PN. * MOSFET: Utiliza una capa de óxido en la compuerta, que le da una impedancia de entrada extremadamente alta. ════════════════════════

2.1.1.1. 𝟑. 𝐂𝐨𝐧𝐟𝐢𝐠𝐮𝐫𝐚𝐜𝐢𝐨𝐧𝐞 𝐬 𝐝𝐞 𝐀𝐦𝐩𝐥𝐢𝐟𝐢𝐜𝐚𝐜𝐢𝐨́ 𝐧: Las configuraciones de amplificador con FET se eligen según la aplicación: Fuente común: Alta ganancia de voltaje, para pequeñas señales. Drenador común: Ganancia cercana a 1, ideal para baja impedancia de salida. Puerta común: Baja impedancia de entrada, usado en alta frecuencia. ══════════════════════

2.1.1.1.1. 𝟒. 𝐕𝐞𝐧𝐭𝐚𝐣𝐚𝐬 𝐲 𝐀 𝐩𝐥𝐢 𝐜𝐚𝐜𝐢𝐨𝐧𝐞𝐬 𝐋𝐨𝐬 𝐚𝐦𝐩𝐥𝐢𝐟𝐢𝐜𝐚 𝐝𝐨𝐫 𝐞𝐬 𝐅𝐄𝐓: presentan ventajas significativas, como una impedancia de entrada alta, un menor consumo de energía y una buena estabilidad térmica. Estas características los hacen adecuados para aplicaciones en circuitos de audio, sistemas de radiofrecuencia, osciladores y filtros activos. ══════════════════════

3. EQUIPOS Y MATERIALES

3.1. 1 Osciloscopio 1 Multímetro 1 Generador de ondas. 1 Fuente DC Resistencias: 1M, 33K , 10K , 5.6K , 3.3K , 1K (1/4W). Condensadores: 0.1 uF, 10uF , 22 uF (16V). 01 Transistor JFET: 2N5485 o 2N5486 y/o MPF102 (canal N). 01 Protoboard. Conductores para conexiones

4. DATASHEET

4.1. Datasheets de 01 Transistor JFET 2N5485 o 2N5486 y/o MPF102 (canal N): a) 2N5485 / 2N5486: https://www.mouser.com/datasheet/2/68/2n5484-5486-51207.pdf b) MPF102: https://www.alldatasheet.com/datasheet-pdf/pdf/50042/FAIRCHILD/2N5485.html

5. PROCEDIMIENTO

5.1. Arme el circuito de la figura 1. ──────────────────────

5.1.1. https://cmapscloud.ihmc.us/viewer/cmap/20XNCKJNZ-1VYKK8X-NJXXK2

5.1.1.1. Arme el circuito de la figura 2. ──────────────────────

5.1.1.1.1. https://cmapscloud.ihmc.us/viewer/cmap/20XNDZPK9-HX7WVS-NJZ2ST

6. PREGUNTAS

6.1. 1. Confeccione un mapa conceptual con CmapTool para analizar y contrastar las diferentes clases de FET, identificando conceptos relevantes y reconociendo sus aplicaciones.

6.1.1. https://cmapscloud.ihmc.us/viewer/cmap/20XQ2LTZX-1TG97B0-NLZ3CW

6.1.1.1. 2. Resuelva teóricamente el circuito propuesto, obteniendo la ganancia en pequeña señal usando los parámetros respectivos.

6.1.1.1.1. Ganancia de Voltaje (Av): La ganancia de voltaje es la relación entre el voltaje de salida (Vout) y el voltaje de entrada (Vin). La fórmula general es: Av=Vout/Vin

7. CUESTIONARIO

7.1. 1. En JFET, mida el punto de operación, tomando las tensiones de los terminales del transistor, respecto a tierra, y las corrientes tomadas en forma indirecta (V/I).

7.1.1. https://cmapscloud.ihmc.us/viewer/cmap/20XNGR8H5-PL2KWM-NK0Y42

7.1.1.1. 2. Con el circuito original, aplique una señal senoidal de 20 mVpico a una frecuencia de 1 KHz y determine la ganancia de tensión midiendo la salida.

7.1.1.1.1. https://cmapscloud.ihmc.us/viewer/cmap/20XNKNC7X-24BJVK7-NK34ZJ