1. Lektion 12 - Halbleiter, Diode
1.1. Halbleiterwerkstoffe
1.1.1. Kristallstruktur
1.1.1.1. Atome sitzen an bestimmter Position im Kristallgitter
1.1.1.1.1. Nachbaratome
1.1.1.2. rein
1.1.1.2.1. alle
1.1.1.2.2. Temperatur
1.1.1.2.3. notwendiger
1.2. Störstellenleitfähgikeit
1.2.1. Dotierung
1.2.1.1. Atome
1.2.1.1.1. Valenzelektronen
1.2.1.2. Leitfähigkeit
1.2.1.2.1. erhöht
1.3. Diode
1.3.1. PN-Übergang
1.3.1.1. Grenzschicht
1.3.1.1.1. Diffusion
1.3.2. Schaltung
1.3.2.1. Sperrichtung
1.3.2.1.1. Grenzschicht
1.3.2.1.2. Plus an N
1.3.2.2. Durchlassrichtung
1.3.2.2.1. Grenzschicht
1.3.2.2.2. Spannungsabfall = Schwellspannung
1.4. Z-Diode
1.4.1. Dr. Zener
1.4.2. Sperrspannung
1.4.2.1. verringert
1.4.2.1.1. 3 - 100 V
1.4.3. Einsatz
1.4.3.1. Spannungsstabilisierung
1.4.3.1.1. Vorwiderstand
1.5. Fotodiode
1.5.1. Sperrichtung
1.5.1.1. geringer Sperrstrom
1.5.1.2. Grenzschicht + Licht
1.5.1.2.1. Zusätzliche Ladungsträger
1.5.1.2.2. Zunahme
1.5.2. Ohne Hilfsspannung
1.5.2.1. Spannungsquelle
1.5.2.2. Solarzelle
1.5.2.2.1. Großflächige PN-Übergänge
1.6. Leuchtdiode
1.6.1. Spezielle Dotierung
1.6.1.1. Galliumphosphid
1.6.1.2. Gallium-Arsenphospid
1.6.2. Lichtfarbe
1.6.2.1. Grün
1.6.2.1.1. Zink
1.6.2.2. Rot
1.6.2.2.1. Zinksauerstroff
1.6.3. PN-Übergang
1.6.3.1. Zinn
1.6.4. Doppelte Sperrspannung
1.6.4.1. 1,5 V
1.6.5. Optokoppler
1.6.5.1. Kombination
1.6.5.1.1. mit
1.7. Typenkennzeichnung
1.7.1. 1. Buchstabe
1.7.1.1. Ausgangsmaterial
1.7.1.2. A = Germanium
1.7.1.3. B = Silizium
1.7.2. 2. Buchstabe
1.7.2.1. Anwendung
1.7.2.2. A = Diode
1.7.2.3. B = Kapazitätsdiode
1.7.2.4. E = Tunneldiode
1.7.2.5. X = Vervielfacherdiode
1.7.2.6. Y = Leistungsdiode
1.7.2.7. Z = Z-Diode
1.7.3. 3. Buchstabe
1.7.3.1. Professionelle Anwendung
1.7.3.2. Geringere Streuwerte
1.7.4. Ziffern
1.7.4.1. Laufende Kennzeichnung
1.7.5. Amerika/Asien
1.7.5.1. 1N + 2-4 Stellige laufende Zahl
1.8. Diode als Gleichrichter
1.8.1. Cave 230V ist Effektivspannung
1.8.2. Max Amplitutde bei 230 * sqr(2) = ca 325 V
2. Lektion 13 - Transistor, Verstärker
2.1. Typen
2.1.1. Bipolar
2.1.1.1. Drei Schichten
2.1.1.1.1. PNP
2.1.1.1.2. NPN
2.1.1.1.3. Anschlusselektroden
2.1.2. Feldeffekt
2.1.2.1. Drain
2.1.2.2. Source
2.1.2.3. Gate
2.1.2.4. MOS-FET
2.1.2.5. Sperrchicht-FET/J-Fet
2.1.2.5.1. Gate/Source immer in Sperrichtung, sodass kein Gatestrom fließt.
2.1.3. Verstärker
2.1.3.1. Leistungsverstärkung
2.1.4. Operationsverstärker
2.1.4.1. Hohe Vestärkung
2.1.4.2. Hoher Eingangswiederstand
2.1.5. Röhre
2.1.5.1. Hohe Spannung
2.1.5.2. Geringe Ströme
2.1.5.3. Hohe Leistung
2.1.5.4. Anode
2.1.5.5. Gitter
2.1.5.6. Neue Idee
3. Lektion 14 - Modulation und Demodulation
3.1. Prinzip der Nachrichtenübertragung
3.1.1. Heinrich Hertz
3.1.1.1. 1885-1889
3.1.1.1.1. Übertragung von elektrischen Wellen
3.1.2. Telegrafie ohne Draht
3.1.2.1. Zimmer zu Zimmer
3.1.2.2. G. Marconi
3.1.2.2.1. größere Entfernung
3.1.3. Modulation
3.1.3.1. Beeinflussung einer hochfrequenten elektrischen Schwinung durch die zu übertragenden Signale.
3.1.4. Sendearten
3.1.4.1. Morsetelegrafie
3.1.4.2. Fernschreibtelegrafie/Radioteletype RTTY
3.1.4.3. Faksimile FAX
3.1.4.4. Fernsehen ATV
3.1.4.5. Datenübertragung
3.1.4.6. Kodierung
3.1.4.6.1. 1. Symbol: Modulationsart des Hauptträgers
3.1.4.6.2. 2. Symbol: Signalmodulation des Hauptträgers
3.1.4.6.3. 3. Symbol: Art der auszusendenden Information
3.1.5. Modulationsarten
3.1.5.1. Amplitudenmodulation
3.1.5.1.1. Kurzwellenfunk
3.1.5.1.2. NF-Signal
3.1.5.1.3. Modulationsgrad
3.1.5.1.4. Bandbreite
3.1.5.1.5. Leistungen
3.1.5.1.6. Einseitenbandmodulation SSB/J3E
3.1.5.2. Frequenzmodulation
3.1.5.2.1. lokaler Funkverkehr
3.1.5.2.2. Hub
3.1.5.2.3. Bandbreite
3.1.5.2.4. Vorteile
3.1.5.2.5. Nachteile
4. Lektion 15 - Sender und Empfängertechnik
4.1. Prinzip des Senders
4.1.1. Oszillator
4.1.1.1. HF-Träger
4.1.1.2. früher LC-Oszillatoren
4.1.1.3. heute
4.1.1.3.1. Quarzoszillator
4.1.2. SSB
4.1.2.1. Mikrofonverstärker
4.1.2.2. SSB Modulator + 1. Oszillator (um 5 MHz)
4.1.2.2.1. Trägerunterdrückung
4.1.2.3. Mischer + 2. Oszillator
4.1.2.3.1. Endfrequenz
4.1.2.4. HF-Verstärker
4.1.2.5. Ausgangsleitung ist abhängig von NF-Signalstärke
4.1.3. FM
4.1.3.1. Mikrofonverstärker
4.1.3.1.1. Hub entspricht der NF-Lautstärke
4.1.3.1.2. Bandbreite wird größer, je lauter moduliert wird.
4.1.3.2. NF-Signal versträkt im einfachsten Fall direkt Frequent des ersten Oszillators
4.1.3.3. Mischung mit 2. Oszillator
4.1.3.4. HF-Verstärker
4.1.3.4.1. Ausgangleistung ist nur von HF-Verstärkung abhängig
4.2. Oszillator
4.2.1. Rückkopplung eines Verstärkers
4.2.2. Frequenzwahl
4.2.2.1. VFO - Variabel Frequency Oszillator
4.2.2.2. LC
4.2.2.2.1. Änderung
4.2.2.3. Oszillatorquarz
4.2.2.3.1. wenig temperaturunabhängig
4.2.2.3.2. PLL
4.2.2.3.3. Neue Idee