AMPLIFICADOR CON TRANSISTOR FET

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AMPLIFICADOR CON TRANSISTOR FET por Mind Map: AMPLIFICADOR CON TRANSISTOR FET

1. A la tensión necesaria para que la zona de deplexión ocupe todo el canal se le llama tensión puerta-fuente de corte (VGSoff ó Vto)

2. Cuanto mayor es la polarización inversa, más gruesa se hace la zona de deplexión; cuando la zona no conductora ocupa toda la anchura del canal, se llega al corte del canal.

3. En la unión pn, al polarizar en inversa la puerta y el canal, una capa del canal adyacente a la puerta se convierte en no conductora. A esta capa se le llama zona de carga espacial o deplexión.

4. En la parte superior del canal N está conectado el drenaje (D); en la parte inferior del canal N está conectado el terminal llamado “fuente” (S)

5. Estructura física (SACACA QUEQUE RENATO)

6. Zona de carga espacial o deplexión (SACACA QUEQUE RENATO)

7. Marco Teórico

8. Tensión de estrangulamiento (TENA SANTILLAN DYLAN)

9. Tensión en la cual la corriente se vuelve prácticamente constante

10. Corriente de saturación (TENA SANTILLAN DYLAN)

11. La corriente de saturación fluye en sentido inverso cuando el diodo está en polarización inversa. Un valor típico para la corriente de saturación en silicio es de 10^(-12) A.

12. Tensión de ruptura (TENA SANTILLAN DYLAN)

13. Es el voltaje mínimo que debido a que una parte del aislante se convierta conductora

14. Datos técnicos (SORIA PINEDO FRANCK DAVID)

15. Índices Absolutos Máximos (TA=25⁰C) Voltaje Puerta-Drenaje……………………………………………………………………………………………………….25v Voltaje Puerta-Fuente…………………………………………………………………………………………………………25v Corriente de Drenaje………………………………………………………………………………………………………..30mA Corriente de Puerta………………………………………………………………………………………………………....10mA Rango de Temperatura de almacenamiento………………………………………………………-65⁰C a +150⁰C Rango de Temperatura de funcionamiento……………………………………………………….-55⁰C a +135⁰C

16. Características Eléctricas (TA=25⁰C) SIMBOLO PARAMETRO 2N5485 UNIDADES MIN MAX IGSS Corriente Inversa de Puerta -1 nA -200 BVGSS Voltaje de ruptura Puerta-Fuente -25 V VGS(OFF) Voltaje de corte Puerta-Fuente-0.5 -4.0 mA IDSS Corriente de saturación de Drenaje 4.0 10 mA

17. Resolver teóricamente el circuito propuesto (CHAVEZ GRAJEDA DOMINICK ALEXEI)

17.1. El circuito propuesto presenta una configuración de autopolarización, debido a la presencia de una sola fuente DC y a la resistencia Rs. Existen dos casos.

17.1.1. Rs puenteado (con Cs)

17.1.1.1. La ganancia es: Av = -gm * (rd || Rd)

17.1.1.2. Si la impedancia de salida es: rd >= 10Rd, la ganancia se aproxima a: Av = -gm * Rd

17.1.1.2.1. El signo negativo en la solución de Av indica un desfasamiento de 180° entre Vi y Vo.

17.1.2. Rs sin puentear (sin Cs)

17.1.2.1. La ganancia es: Av = - (gm * Rd) / (1 + gm * Rs + (Rd + Rs)/rd)

17.1.2.2. Si la impedancia de salida es: rd >= 10Rd, la ganancia se aproxima a: Av = - (gm * Rd) / (1 + gm * Rs)

18. Integrantes del Grupo 5

18.1. Supervisor del tiempo: Soria Pinedo, Franck David - 20190235I

18.2. Encargado del material: Chávez Grajeda, Dóminick Alexei - 20184135F

18.3. Comunicador: Tena Santillan, Dylan - 20180332A

18.4. Comunicador 2: Sacaca Queque, Renato - 20182633I